現代社会において身の回りのモノの電動化を支える半導体素子は，人工的に合成される良質な結晶があってこそ実現される．本科目では，基本的な半導体材料であるSiやGeのほか，GaNやSiCなどのワイドバンドギャップ半導体を得るために必要な結晶成長技術，並びにそれに関連する真空技術及び薄膜形成技術に関する講義を行う．
26660004:01:3002:半導体結晶工学特論(2024):片宗 優貴:XT145-1327:LT260H0999:初期値は非表示（学生へ非公開）です。学生に公開するには「コースの可視性」を「非表示」から「表示」に変更してください。該当コース上部の「設定」を選択後、コースの可視性を「表示」にかえ、画面をスクロールし「保存して表示する」をクリックします。同様に「コース省略名」も分りやすい名称に変更してください。コースへの参加パスワードを設定したい場合は、該当コース上部の「参加者」を選択後、選択メニューの「登録済みユーザ」を「登録方法」に切り替え「自己登録（学生）」列の右側、歯車アイコンを選択し、「登録キー」を設定してください。 シラバスhttps://edragon-syllabus.jimu.kyutech.ac.jp/guest/syllabuses/direct?year=2024&subject_code=26660004&class_code=01
- 教師: 教職員 片宗 優貴